我國(guó)LED防爆燈產(chǎn)業(yè)由封裝開始逐漸發(fā)展至今，已經(jīng)逐漸改善了初期芯片主要依賴進(jìn)口的局面，近幾年來，受到下游市場(chǎng)極強(qiáng)需求形勢(shì)拉動(dòng)以及各地政策的大力扶持，我 國(guó)眾多主要的LED防爆燈外延芯片公司開始加強(qiáng)研發(fā)投資力度，爭(zhēng)相迅速制定相關(guān)擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃。一時(shí)間，市場(chǎng)對(duì)于外延芯片環(huán)節(jié)的投資力度得到極大提升，也同時(shí)促進(jìn)了我 國(guó)LED防爆燈外延芯片行業(yè)飛速發(fā)展，到2011年我國(guó)芯片國(guó)產(chǎn)化率已經(jīng)高達(dá)70%。國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟相關(guān)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)顯示，2009年國(guó)內(nèi)LED外延芯片市場(chǎng)規(guī)模約為23億元，截止到2011年則已經(jīng)上升至65億元，年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到68.11%。
做為L(zhǎng)ED生產(chǎn)過程中核心的環(huán)節(jié)，LED外延生長(zhǎng)及芯片制造過程對(duì)終端LED產(chǎn)品影響極大，甚至可以直接影響其產(chǎn)品性能與質(zhì)量，因此LED外延芯片技術(shù)發(fā)展水平直接決定了其產(chǎn)品下游應(yīng)用的滲透程度及覆蓋范圍。自發(fā)展以來，LED照明技術(shù)便經(jīng)歷了由單色系到全色系、從普亮到高亮、從低光效到高光效的不斷進(jìn)步的發(fā)展歷程，在發(fā)展過程中，不斷得到完善的LED性能也大力推動(dòng)其產(chǎn)品應(yīng)用不斷擴(kuò)展到更多領(lǐng)域。LED外延生長(zhǎng)及芯片制造環(huán)節(jié)在整個(gè)LED照明生產(chǎn)產(chǎn)業(yè)鏈中所占的技術(shù)含量極高，設(shè)備投資需求強(qiáng)度大，利潤(rùn)率也相對(duì)較高，是典型的資本和技術(shù)密集型行業(yè)，因此其技術(shù)及發(fā)展水平對(duì)國(guó)內(nèi)整體LED產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)及各企業(yè)所占的市場(chǎng)地位都將產(chǎn)生決定性影響。
近幾年，國(guó)內(nèi)LED外延芯片行業(yè)伴隨著LED照明應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴(kuò)張而得以迅速發(fā)展。通過國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟所公布的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)可以看出，從2009年到2011年，我國(guó)LED外延芯片行業(yè)規(guī)模已經(jīng)從之前的23億元上升到65億元，年復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)68.11%。
據(jù)國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)可以看出，到2010年國(guó)內(nèi)LED芯片需求量折合成2英延片已經(jīng)高達(dá)49萬片/月，同比增長(zhǎng)高達(dá)48%，聯(lián)盟預(yù)測(cè)，未來五年內(nèi)我國(guó)顯示屏用LED芯片需求將繼續(xù)保持平穩(wěn)增長(zhǎng)的勢(shì)態(tài)發(fā)展，并且隨著背光源滲透率的不斷提高以及LED照明應(yīng)用的迅速啟動(dòng)，未來我國(guó)LED外延芯片市場(chǎng)需求量勢(shì)必得到大幅度的提升，到2015年為止，國(guó)內(nèi)LED芯片需求量折合為2英外延片將有望達(dá)到555萬片/月，約為2010年的11倍。
